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雷清泉院士申请的第354次香山科学会议在北京召开
时间:2009年7月13日 浏览:2819 次   字体颜色:  【字体大小:放大 正常 缩小

由我校雷清泉院士申请并获得批准的第354次香山科学会议“纳米电介质的多层次结构及其宏观性能”学术讨论会,已于2009623~25日在北京香山饭店召开。

香山科学会议是由国家科学技术部(原科学技术委员会)发起,在国家科学技术部和中国科学院的支持下于1993年正式创办。相继得到国家自然科学基金委员会、中国科学院学部、中国工程院、教育部、解放军总装备部和国防科工委等部门的支持和资助。香山科学会议旨在弘扬学术自由讨论精神,面向科学前沿与未来,促进学科交叉与融合,推进整体性综合研究,启迪创新思维,促进科学创新。根据每次香山科学会议整理出的《香山科学会议简报》,是国家领导人、政府有关决策部门、科技管理部门和有关专家,在制定国家重大科技发展政策和战略、部署国家科技发展规划和考虑国家重大科技立项时的重要参考。

雷清泉院士从事电介质基础理论研究已逾40载,特别是2002年承担国家自然科学基金重点项目“无机纳米-高聚物复合物的介电性与局部放电老化机理”以来,对于将传统体电介质理论过渡到具有奇异理化特性和尺度效应的低维电介质理论,探索建立微观-介观-宏观性能三者之间的相互关系与理论模型等,提出了一些新的理念和新思路。在本次会议上雷清泉院士所做的 “纳米电介质的结构和运动的时空多层次性”主题报告,引起了与会专家学者的热烈反响。

本次香山科学会议共有来自国内外26所大学或研究院(所)的42位专家、学者出席了会议。除了雷清泉院士的主题报告之外,清华大学南策教授、南京大学朱劲松教授、同济大学张冶文教授和西安交通大学李盛涛教授分别作了专题报告。与会代表经过了三天畅所欲言的热烈讨论,对于纳米电介质研究工作提出了很多新思路和新问题。“纳米电介质的多层次结构及其宏观性能”学术讨论会的召开,将进一步激发电介质研究领域相关专家学者探索科学前沿、热点问题的积极性,促进科技创新和纳米电介质学科的发展与进步。

         
       
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